阵列天线焦点偏移与旁瓣分析

基于公式的理论分析与可视化

1. 回顾公式与物理模型

x y O (x_foc,0) (-x_foc,0) (x_mn,y_mn) R¹_mn R²_mn F (θ,φ)
图1:阵列天线物理模型示意图,展示焦点位置、阵面单元和相关距离
$$ \phi_{total}=k_0\left(\frac{R^1_{mn}+R^2_{mn}}{2}-R_{mn}\right) - k_0u $$

其中,

$$ u = x_{mn}\sin\theta\cos\varphi + y_{mn}\sin\theta\sin\varphi $$
$$ E(\theta,\varphi) = \sum_{m=1}^M\sum_{n=1}^N A_{mn}\cdot \exp\big(j\phi_{total}\big) $$

其中幅度$A_{mn}$一般受馈源到单元的空间衰减分布(通常随距离减小)。

2. 公式分析:单元相位与幅度分布的变形

(1)$R^1_{mn}$和$R^2_{mn}$对称与不对称分析

x_foc = 0 对称相位分布
x_foc ≠ 0 非对称相位分布
图2:焦点居中与偏移情况下的相位分布对比
$$ R^1_{mn} = R^2_{mn} = \sqrt{x_{mn}^2 + y_{mn}^2 + F^2} $$

相位分布关于$x=0$对称,远场主瓣唯一、旁瓣按软加权固有分布(典型低旁瓣)。

$$ R^1_{mn} = \sqrt{(x_{mn}+x_{foc})^2 + y_{mn}^2 + F^2} $$ $$ R^2_{mn} = \sqrt{(x_{mn}-x_{foc})^2 + y_{mn}^2 + F^2} $$

由此$\phi_{total}$引入了$x_{mn}$奇次项,导致面元相位/幅度分布关于中心不再对称

(2)$\phi_{total}$的物理意义与近似

主瓣附近、主要远场方向:

$$ \sqrt{(x_{mn}\pm x_{foc})^2 + y_{mn}^2 + F^2} \approx \sqrt{x_{foc}^2 + F^2} \pm \frac{x_{mn}x_{foc}}{\sqrt{x_{foc}^2 + F^2}} + \frac{1}{2}\frac{x_{mn}^2}{\sqrt{x_{foc}^2 + F^2}} + ... $$
$$ \frac{R^1_{mn} + R^2_{mn}}{2} \approx \sqrt{x_{foc}^2 + F^2} + \frac{x_{mn}^2 + y_{mn}^2}{2\sqrt{x_{foc}^2+F^2}} $$

第一项是常数;第二项决定面元的抛物线性分布,与$x_{foc}$密切相关。

$\phi_{total}$内含$\sqrt{x_{foc}^2+F^2}$, 表现为相位快慢分量随$x_{foc}$归一调节。$x_{foc}$越大,抛物线拉伸越强,"像场"越侧重于两个"副瓣"。

(3)远场叠加与傅里叶窗变形

对称窗函数 对应的远场方向图(低旁瓣) 阵面 远场 主瓣 旁瓣 旁瓣
图3:对称窗函数与其远场方向图关系
非对称窗函数 对应的远场方向图(高旁瓣) 阵面 远场 主瓣 增高的旁瓣
图4:非对称窗函数与其远场方向图关系

傅里叶分析结论:

(4)旁瓣增大与变量关系

x_foc = 0 x_foc = D/6 x_foc = D/3 主瓣 增高的旁瓣 增高的旁瓣 随x_foc增大的远场方向图变化
图5:随焦点偏移增大,远场方向图旁瓣变化趋势

定量影响:

3. 定量近似表达

$$ w(x) = w_0(x) + \gamma x $$

其旁瓣会因为$\gamma$(对应$x_{foc}$)的增大而迅速增高

$$ SLL_{max} \approx SLL_{foc=0} + C \frac{x_{foc}}{D} $$

其中$C$为~20~30 dB的系数(需要仿真细化)

举例:对16×16、$D=104mm$、$x_{foc}=31.2mm$($D/3$),旁瓣理论能比对称情况增高~6~10dB不等。

x_foc/D 0.1 0.2 0.3 0.4 SLL (dB) -30 -25 -20 -15 -10 SLL_foc=0 ≈ -30dB x_foc=D/3, SLL≈-20dB
图6:焦点偏移比例($x_{foc}/D$)与最大旁瓣电平(SLL)关系示意图

4. 理论总结

焦点偏移对阵列性能的影响机制 焦点偏移 (x_foc ≠ 0) 阵面相位分布不对称 窗函数失衡(引入斜率项) 远场方向图旁瓣增高(能量泄漏)
图7:焦点偏移影响阵列性能的机制流程图

5. 定性/定量公式总结表

变量 影响
$x_{foc}$ 越大,主瓣两侧最大旁瓣越高(线性—甚至指数趋势)
$F$ 焦距越大,幅度加权更趋均匀,对偏置更敏感
$D$ 口径越大,同一比例$x_{foc}/D$旁瓣问题越突出
$N$ 单元数越多,分辨率提高,旁瓣结构更明显
x_foc F D N 变量增大 旁瓣增高程度
图8:各变量对旁瓣增高影响的趋势图

6. 可视化建议

数值仿真/FFT模拟推荐:

  1. 按公式逐单元生成$\phi_{total}$
  2. 用均匀/喇叭口窗加权,远场方向做二维FFT
  3. 对比$x_{foc}=0$、$x_{foc}=D/6$、$D/3$情形的主瓣—旁瓣结构,可清晰看到旁瓣增高趋势,并可能观察到主瓣裂分
仿真流程示意图 计算单元相位 φ_total 应用窗函数加权 A_mn·exp(jφ_total) 二维FFT变换 E(θ,φ) $x_{foc} = 0$ $x_{foc} = D/6$ $x_{foc} = D/3$
图9:仿真流程与结果对比示意图

结论要点

焦点偏移($x_{foc}$)是影响阵列天线旁瓣性能的关键因素。当焦点偏离中心位置时,会破坏阵面相位分布的对称性,引入非对称窗函数效应,导致远场方向图中主瓣两侧旁瓣显著增高。这一现象可通过数学模型精确描述,其影响程度与$x_{foc}/D$的比值密切相关。为保证阵列天线的最佳性能,应尽量确保馈源居中对准阵面,或通过数字校正技术补偿非对称相位分布。